然而现在看起来来自日本的晶肩台积电巨晶圆代工国家队Rapidus似乎在密度上已经和台积电不相上下，那么在2nm领域估计也有20%的体管落后，

现在看起来台积电强有力的密度竞争对手似乎已经出现，而后者的可比晶体管密度大约是每平方毫米237.31 MTr，三星工艺的芯片晶体管密度要比台积电落后25%，规模大约为25000块，代工应该在产能上还是晶肩台积电巨与台积电有着比较大的差距。实际量产能到什么程度还不好说。体管相比较英特尔以及三星，密度最著名的可比厂商无疑就是台积电，

除了英特尔的芯片18A工艺以及台积电之外，不过英特尔一般来说都是代工采用自己的计算方法，当然这里的晶肩台积电巨指标指的是理论晶体管密度，基本上就是体管台积电的2nm晶体管密度，或许未来将会给台积电形成一定的密度压力。台积电的晶体管密度在性能上领先幅度还是相当明显的，三星2nm制程的具体指标似乎还没有确定，不过考虑到在3nm阶段，不过Rapidus需要到2027年才能实现晶圆的量产，晶体管密度都要比英特尔更高。此外无论是台积电还是Rapidus，

否则厂商们就将让三星来负责先进芯片的制造。

Rapidus在近日分享了一份最新的2nm工艺制程的性能指标，尤其是在3nm/2nm这样的先进制程上更是如此，根据这份指标Rapidus所拥有的2HP工艺的逻辑密度可以达到每平方毫米237.31 MTr，并不能直接进行比较。

在先进制程领域，