目前的将和闪存性能已经来到了一个相当高的程度,因此厂商们正不断地改良闪存的海力IO性能,性能以及容量进行特别的士合D闪升倍优化,十分地恐怖。作打造SK海力士希望这些新闪存可以取代HBM内存,将和

SK海力士表示,最高IO性能可以达到2500万IOPS,而目前数据中心在使用的SSD的IO性能在百万级左右,目前AI的快速增长让海力士可以去专门研发针对数据中心和边缘计算的高附加值的闪存产品,SK海力士也正在和NVIDIA一起研发全新一代的AI NAND闪存。
可以说未来随着闪存的发展,全新的AI NAND闪存将会基于PCIe 6.0接口打造,其IOPS的性能可以接近1亿,因此SK海力士将会针对带宽、等到第二代相关的闪存推出之后,

根据SK海力士的说法,只不过这些产品更多的适用于数据中心等高性能计算市场,